- UID
- 397
- 阅读权限
- 60
- 注册时间
- 2009-4-30
认证会员
- 注册时间
- 2009-4-30
|
发表于 2018-2-21 14:30
来自手机
|
显示全部楼层
zxfsdu 发表于 2018-2-7 11:08
你说的也是,索尼也卖手机,只不过没有三星卖的好。
索尼的cmos芯片卖到了全世界,
我所谓的三星卖芯片 ...
以现有的cmos像素水平,感光层的模拟器件结构实际250nm绰绰有余。三丧的nx1整片cmos使用65nm的铜接层的工艺(BSI感光器),sony a6300/6500,nikon d7200的CMOS使用的是180nm的传统fsi-cmos。就DxO的宽容度测试,65nm的制程体现出任何优势了嘛?显然完全没有。理论上若按照数字逻辑电路的所谓堆晶体管数量和制程先进程度的理论的话,65nm和180nm相比,先进的老了去咯,宽容度性能应该领先大了去咯!但实际并非如此。
这就是感光器的核心模拟感光层特性决定的,它的光电转换是模拟过程,这玩意儿并不明显受制程影响(更多的受先天结构和感光材料的影响)。而只有cmos感光器的逻辑电路区才受制程的影响(运算门电路数量多寡决定性能,制程又直接决定能容纳的门电路规模和功耗)。但感光器、感光器你核心的技术基础是在感光层上,而不是逻辑电路。再者都堆栈式结构了,逻辑电路完全做下层去了,对厂商来说制程就更不重要了,因为感光层和逻辑层可以分开使用完全不同的制程,你下层的逻辑区完全可以外包去使用任何制程(如果需要,像sony的堆栈式感光器的下层逻辑电路完全可以外包给台积电去用28nm制程来做)。 |
|